三星研发8nm工艺的LPDDR5内存速率升至7.3Gbps

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三星研发8nm工艺的LPDDR5内存速率升至7.3Gbps

来源： TGBUS原创 作者：胖涛 2019-06-14 09:27

作为全球内存芯片厂商之一，三星在VLSI 2019大会上公布了基于8nm工艺的LPDDR5 Phy物理层芯片，一举将速率提升到了7.3Gbps，而且功耗只有790mW。

作为全球内存芯片厂商之一，三星在VLSI 2019大会上公布了基于8nm工艺的LPDDR5 Phy物理层芯片，一举将速率提升到了7.3Gbps，而且功耗只有790mW。除此之外，三星还在继续提升LPDDR4X内存的速率，目前LPDDR4X-4266Mbps内存已经有了，三星的目标是5Gbps的LPDDR4X内存。