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三星宣布量产512GB的eUFS 3.1制式高速闪存 未来或将成为旗舰机新标配
三星宣布量产512GB的eUFS 3.1制式高速闪存 未来或将成为旗舰机新标配
来源: TGBUS原创 作者: 瓶子哥 2020-03-17 12:08
​除512GB版本外,三星还将在今年晚些时候发布256GB和128GB版本的芯片。据了解,三星已经开始在西安的新生产线(X2)量产第五代V-NAND,以完全满足旗舰和高端智能手机市场的存储需求。

3月17日我们得到消息,三星电子正式宣布已开始量产业界首款用于旗舰机的512GB eUFS 3.1芯片,与此前的三星eUFS 3.0芯片相比,eUFS 3.1芯片的写入速度是以前的三倍。

根据三星官方提供的数据显示,三星512GB eUFS 3.1的连续写入速度超过1200MB/s,装有新eUFS 3.1的手机仅需1.5分钟即可处理100GB数据,而基于UFS 3.0的手机则需要4分钟以上。另外,512GB eUFS 3.1的处理速度比UFS 3.0版本快60%,随机读取和写入速度分别为100000 IOPS(每秒输入/输出操作)和70000 IOPS。

除512GB版本外,三星还将在今年晚些时候发布256GB和128GB版本的芯片。据了解,三星已经开始在西安的新生产线(X2)量产第五代V-NAND,以完全满足旗舰和高端智能手机市场的存储需求。